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可控硅的鑒別 可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。可控硅和只有...發布時間：2015-05-14 點擊次數：850 次
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IGBT模塊注意事項 由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意...發布時間：2015-05-11 點擊次數：876 次
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FERRAZ熔斷器的結構介紹 FERRAZ熔斷器是指當電流超過規定值時，以本身產生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流保護器...發布時間：2015-04-20 點擊次數：863 次
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IXYS可控硅原理 IXYS可控硅是IXYS可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電...發布時間：2015-03-30 點擊次數：877 次
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熔斷器熔體的額定電流可按以下方法選擇 熔斷器（fuse）是指當電流超過規定值時，以本身產生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流保...發布時間：2015-01-25 點擊次數：1459 次
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IGBT模塊散熱技術 IGBT模塊散熱技術； 散熱的過程1IGBT在結上發生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導散熱器上;4散熱器上的熱傳導到空氣中。散熱環節影響散熱程度影響因數解決辦法1總...發布時間：2015-01-23 點擊次數：914 次
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DYNEX（二極管）的正負極判別方法 在實際led節能燈焊接過程中，常遇到如何辨認DYNEX（二極管）的正負極，這部尤其重要，燈亮不亮就在他了！ **種觀察法。從側面觀察兩條引出線在管體內的形狀．較小的是正極．其次看引腳長短也可以看出來，發...發布時間：2015-01-10 點擊次數：1084 次
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DYNEX（二極管）的工作原理 DYNEX（二極管）為一個由p型半導體和n型半導體形成的pn結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于pn結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而...發布時間：2015-01-08 點擊次數：775 次
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INFINEON模塊的介紹 INFINEON模塊塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。*早是先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。 ...發布時間：2015-01-06 點擊次數：888 次
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ABB可控硅的晶閘管特性 為了能夠直觀地認識ABB可控硅的晶閘管的工作特性，大家先看這塊示教板。晶閘管VS與小燈泡EL串聯起來，通過開關S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極，陰極K接電源的負極，控制極G通過按鈕開關SB接在...發布時間：2014-12-20 點擊次數：860 次
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ABB可控硅的特征（二） 1、關于轉換電流變化率 當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉換電流變化率變高，這種情況*易在感性負載的情況下發生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯一只幾毫亨的空氣電...發布時間：2014-12-17 點擊次數：749 次
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ABB可控硅的特征（一） 1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發ABB可控硅(晶閘管)內部的正反饋，則也會被觸發導通。應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可...發布時間：2014-12-16 點擊次數：867 次
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IGBT模塊的程序設計術語 在程序設計中，為完成某一功能所需的一段程序或子程序；或指能由編譯程序、裝配程序等處理的獨立程序單位；或指大型軟件系統的一部分。 IGBT模塊,又稱構件,是能夠單獨命名并獨立地完成一定功能的程序語句的...發布時間：2014-12-14 點擊次數：817 次
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IGBT模塊的傳統保護模式 IGBT模塊(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOS...發布時間：2014-12-13 點擊次數：814 次
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IGBT模塊的發展歷程 1996年，CSTBT（載流子儲存的溝槽柵雙極晶體管）使第5代IGBT模塊得以實現[6]，它采用了弱穿通（LPT）芯片結構，又采用了更先進的寬元胞間距的設計。目前，包括一種“反向阻斷型”（逆阻型）功能或一種...發布時間：2014-12-09 點擊次數：836 次
