聯(lián)系我們
聯(lián)系人：王先生 郭先生 李小姐
服務專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.cyou.net.cn 查看相關的產品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區(qū)上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.cyou.net.cn 查看相關的產品，
我們?yōu)槟闾峁?/span>365天24小時5S的服務
文章詳情
IGBT模塊的傳統(tǒng)保護模式
日期：2025-08-03 16:00
瀏覽次數：814
摘要：
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
防護方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現尖峰損壞IGBT——可在G極和E極之間設置一些保護元件，電阻RGE的作用，是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2，是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT。另外，還有實現控制電路部分與被驅動的IGBT模塊之間的隔離設計，以及設計適合柵極的驅動脈沖電路等。然而即使這樣，在實際使用的工業(yè)環(huán)境中，以上方案仍然具有比較高的產品失效率——有時甚至會超出5%。相關的實驗數據和研究表明：這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關系，而穩(wěn)壓管在此的響應時間和耐電流能力遠遠不足，從
尊敬的客戶：
您好，我司是一支技術力量雄厚的高素質的開發(fā)群體，為廣大用戶提供高品質產品、完整的解決方案和上等的技術服務公司。主要產品有 DYNEX ABB可控硅 BUSSMANN 西門康IGBT 等。 本企業(yè)堅持以誠信立業(yè)、以品質守業(yè)、以進取興業(yè)的宗旨，以更堅定的步伐不斷攀登新的高峰，為民族自動化行業(yè)作出貢獻，歡迎新老顧客放心選購自己心儀的產品。我們將竭誠為您服務！
