IGBT模塊的用于和裝置 
　　IGBT是絕緣柵雙極型晶體管（ Insulated Gate Bipolar Transistor ） , 它是八十年代初誕生，九十年代迅速發展起來的新型復合器件。 IGBT 將 MOSFET 與 GTR 的優點集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩定性好、電壓驅動型，又具有通態壓降低、高電壓、大電流的優點。因此， IGBT 的新技術、新工藝不斷有新的突破；應用頻率硬開關 5KHz ～ 40KHz ，軟開關 40KHz ～ 150KHz ；功率從五千瓦到幾百千瓦的應用場合。   IGBT器件將不斷開拓新的應用領域，為高效節能、節材，為新能源、自動化和智能化提供了新的機遇。為了使初次用于者正確用好 IGBT 模塊，*大限度地發揮 IGBT 模塊的作用，以下是*基本的用于說明。
㈠ 依據裝置負載的工作電壓和額定電流以及用于頻率 , 選擇合適規格的模塊。用戶用于模塊前請詳細閱讀模塊參數數據表，了解模塊的各項技術指標；根據模塊各項技術參數確定用于方案，計算通態損耗和開關損耗，選擇相匹配的散熱器及驅動電路。
㈡ IGBT 模塊的用于
1 ．防止靜電 IGBT 是靜電敏感器件，為了防止器件受靜電危害，應注意以下兩點：
① IGBT 模塊驅動端子上的黑色海綿是防靜電材料，用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線；在無防靜電措施時，不要用手觸摸驅動端子。
② 驅動端子需要焊接時，設備或電烙鐵一定要接地。
2 ．選擇和用于
① 請在產品的*大額定值（電壓、電流、溫度等）范圍內用于，一旦超出*大額定值，可能損壞產品，特別是 IGBT 外加超出 Vces 的電壓時可能發生雪崩擊穿現象從而使元件損壞，請務必在 Vces 的額定值范圍內用于！工作用于頻率愈高 , 工作電流愈小；源于可靠性的原因，必須考慮**系數。如果用于前需要測試請務必用于適當的測試設備，以免測試損壞（特別是 IGBT 和 FRED 模塊需要專業的測試設備，請勿用于非專業的設備測試其電壓的*大值）。
② 驅動電路：由于 IGBT Vce(sat) 和短路耐量之間的折衷關系，建議將柵極電壓選為 +VG=14 ～ 15V ， -VG=5 ～ 10V ，要確保在模塊的驅動端子上的驅動電壓和波形達到驅動要求； 柵極電阻 Rg 與 IGBT 的開通和關斷特性密切相關，減小 Rg 值開關損耗減少，下降時間減少，關斷脈沖電壓增加；反之，柵極電阻 Rg 值增加時，會增加開關損耗，影響開關頻率；應根據浪涌電壓和開關損耗間*佳折衷 ( 與頻率有關 ) 選擇合適的 Rg 值，一般選為 5 Ω至 100 Ω之間。為防止柵極開路，建議靠近柵極與發射極間并聯 20K ～ 30K Ω電阻。驅動布線要盡量短且采用雙絞線；在電源合閘時請先投入驅動控制部分的電源，使其驅動電路工作后再投入主電路電源。
③ 保護電路： IGBT 模塊用于在高頻時布線電感容易產生尖峰電壓，必須注意減少布線電感和元件的配置，應注意以下保護項目：過電流保護、過電壓保護、柵極過壓及欠壓保護、**工作區、過溫保護。
④ 吸收電路： 由于 IGBT 開關速度快，容易產生浪涌電壓，必須設有浪涌鉗位電路。
⑤ 并聯用于： 應考慮柵極電路、線路布線、電流不平衡和器件之間的溫度不平衡等問題。
⑥ 用于時請避開產生腐蝕氣體和嚴重塵埃的場所。
㈢ 裝置
① 散熱器應根據用于環境及模塊參數進行匹配選擇，以保證模塊工作時對散熱器的要求。
② 散熱器表面的光潔度應小于 10mm ，每個螺絲之間的平面扭曲小于 10mm 。為了減少接觸熱阻，推薦在散熱器與模塊之間涂上一層很薄的導熱硅脂，模塊均勻受力后 , 從模塊邊緣可看出有少許導熱硅脂擠出為*佳。
③ 模塊裝置在散熱器上時，螺釘需用說明書中給出的力矩擰緊。力矩不足導致熱阻增 加或運動中出現螺釘松動。力矩過大可能損壞模塊外殼或是破壞模塊絕緣；
④ 僅裝置一個模塊時，裝在散熱器中心位置，使熱阻效果*佳。
⑤ 裝置幾個模塊時，應根據每個模塊發熱情況留出相應的空間，發熱大的模塊應留出較多得空間。
⑥ 兩點裝置緊固螺絲時，先依次緊固額定力矩的 1/3 ，然后反次達到額定力矩。
⑦ 四點裝置和兩點裝置類似， IGBT 長的方向順著散熱器的紋路。緊固螺絲時，依次對角緊固 1/3 額定力矩，然后反次達到額定力矩。
⑧ 用于帶紋路的散熱器時， IGBT 長的方向順著散熱器的紋路，以減少散熱器的變形。兩只模塊在一個散熱器上裝置時，短的方向并排擺放，中間留出足夠的距離，主要是風機散熱時減少熱量迭加，容易散熱，*大限度發揮散熱器的效率。二是模塊端子容易連接，有利于減少雜散電感，尤其高頻用于時更重要。
⑨ 在連接器件時，連接模塊的母線排不能給模塊主端子電極造成過大的機械和熱應力，以免模塊電極的內部焊接斷裂或電極端子發熱在模塊上產生過熱。