聯系我們
聯系人：王先生 郭先生 李小姐
服務專線：13522816641
電 話：010-62842129 82176483
傳 真：010-62561983
QQ： 871252939
QQ： 871252939
MSN：jia_li_da_shi@hotmail.com
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.cyou.net.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
E-mail：bjhtc2011@126.com
地址：北京市海淀區上地科技大廈B座1608室
歡迎登錄我們的網站www.cyou.net.cn 查看相關的產品，
我們為你提供365天24小時5S的服務
文章詳情
IGBT模塊的發展簡述
日期：2025-08-03 11:26
瀏覽次數：715
摘要：
IGBT是絕緣門極雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的英文縮寫。它是八十年代末，九十年代初迅速發展起來的新型復合器件。由于它將MOSFET和GTR的優點集于一身，既有輸入阻抗高，速度快，熱穩定性好，電壓驅動（MOSFET的優點，克服GTR缺點）；又具有通態壓降低，可以向高電壓、大電流方向發展（GTR的優點，克服MOSFET的缺點）等綜合優點，因此IGBT發展很快，在開關頻率大于1KHz，功率大于5KW的應用場合具有優勢。隨著以 MOSFET、IGBT 為代表的電壓控制型器件的出現，電力電子技術便從低頻 迅速邁入了高頻電力電子階段，并使電力電子技術發展得更加豐富，同時為高效節能、省材 、新能源、自動化及智能化提供了新的機遇。
IGBT模塊是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。
尊敬的客戶：
您好，我司致力為廣大用戶提供高品質產品、完整的解決方案和上等的技術服務。主要產品有INFINEON模塊，FERRAZ熔斷器，DYNEX，BUSSMANN熔斷器等等。您可以通過網頁撥打本公司的服務專線了解更多產品的詳細信息，至善至美的服務是我們不斷的追求，歡迎新老客戶放心選購自己心儀產品，我們將竭誠為您服務！
