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IGBT模塊如何做好保護
日期：2025-08-02 00:27
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摘要：
眾所周知，IIGBT模塊是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，被廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過流能力與耐過壓能力較差，一旦出現意外就會使它損壞。為此，必須對IGBT進行相關保護。一般我們從過流、過壓、過熱三方面進行IGBT保護電路設計。
IGBT模塊承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT首要注意的是過流保護。那么該如何根據IGBT的驅動要求設計過流保護呢?
IGBT的過流保護可分為兩種情況：(1) 驅動電路中無保護功能;(2) 驅動電路中設有保護功能。對于**種情況，我們可以在主電路中要設置過流檢測器件;針對**種情況，由于不同型號的混合驅動模塊，其輸出能力、開關速度與du/dt的承受能力不同，使用時要根據實際情況恰當選用。對于大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過流保護則可以通過封鎖驅動信號或者減小柵壓來進行保護。
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