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西門(mén)康IGBTSKM22GD123D兩單元封裝,芯片使用SPT技術(shù),飽和壓降約為2.0伏左右,開(kāi)關(guān)損耗比NPT技術(shù)的IGBT模塊降低20%左右，西門(mén)康IGBTSKM22GD123D完全可以在逆變焊機(jī)中使用,西門(mén)康IGBTSKM22GD123D可以使用在315安到500安的電焊機(jī)中,.5千瓦以上的變頻器中等。
SK80GB063 SK25GB063
SK45GB063 SK25GAL063
SK45GAL063 SK70GAL063
SK25GAR063 SK45GAR063
SK70GAR063 SK80GM063
SK13GD063 SK25GD063
SK45GD063 SK15GH063
SK25GH063 SK45GH063
SK25GAD063T SK25GB065
SK50GB065 SK50GAL065
SK50GAR065 SK50GARL065
SK55GARL065E SK75GARL065E
SK50GARL065F SK20GD065
SK10GD065ET SK15GD065ET
SK20GD065ET SK25GD065ET
SK35GD065ET SK20GH065
