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產品詳情
簡單介紹：
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詳情介紹：
西門康IGBTSKM200GAL12E4兩單元封裝,芯片使用SPT技術,飽和壓降約為2.0伏左右,開關損耗比NPT技術的IGBT模塊降低20%左右，西門康IGBTSKM200GAL12E4完全可以在逆變焊機中使用,西門康IGBTSKM200GAL12E4可以使用在315安到500安的電焊機中,.5千瓦以上的變頻器中等。
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